Микросхема 159НТ1Е

650 ₽

Характеристики

Технология: биполярная
Количество транзисторов: 2 шт
Тип корпуса: 3101.8-9.01
Масса: не более 1,3 г

Все характеристики

Описание

Микросхема 159НТ1Е представляет собой матрицу n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Предназначена для работы в электронной аппаратуре специального назначения.

Технология: биполярная
Количество транзисторов: 2 шт
Тип корпуса: 3101.8-9.01
Масса: не более 1,3 г
Категория качества: «ВП»
Зарубежный аналог: 2N4042
Напряжение коллектор-база: 20 В
Напряжение эмиттер-база: 4 В
Напряжение между транзисторами: 20 В
Ток коллектора постоянный: 10 мА