Фото товара отсутствует

Микросхема К159НТ1Г

260 ₽

Характеристики

Исполнение корпуса
Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату
Маркировка
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы
Тип корпуса
301.8-2
Масса
не более 1,3 г
Все характеристики

Описание

Микросхемы К159НТ1Г представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.

Исполнение корпуса
Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату
Маркировка
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы
Тип корпуса
301.8-2
Масса
не более 1,3 г
Категория качества
«ОТК».
Технические условия
ХМ3.456.006ТУ.
Зарубежный аналог
2N4042 фирмы Solitron Devices, Inc.
Напряжение коллектор-база
20 В
Напряжение эмиттер-база
4 В
Напряжение между транзисторами
20 В
Ток коллектора постоянный
10 мА
Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс)
40 мА
Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С)
50 мВт