Транзистор 2Т117Б

449 ₽

Характеристики

Структура: n-база
Максимальный постоянный ток эмиттера: 50 мА
Максимальный импульсный ток эмиттера: 1 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (с сопротивлением база-эмиттер): - В

Все характеристики

Описание

2Т117Б — кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный транзистор с базой n-типа. Предназначен для маломощных генераторов аппаратуры специального назначения. По таблице: Iэ max 50 мА, мощность 300 мВт, коэффициент передачи 0,65…0,8.

Структура: n-база
Максимальный постоянный ток эмиттера: 50 мА
Максимальный импульсный ток эмиттера: 1 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (с сопротивлением база-эмиттер): - В
Максимальное напряжение коллектор-база: 30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база: 30 В
Максимальная мощность коллектора: 300 мВт
Коэффициент передачи тока: 0,65…0,8
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: - В
Обратный ток коллектора (эмиттер разомкнут): - мкА
Обратный ток эмиттера (коллектор разомкнут): 1 мкА
Граничная частота передачи тока: >0,2 МГц
Коэффициент шума: - дБ
Емкость коллекторного перехода: - пФ
Емкость коллекторного перехода: - пФ
Максимальная температура перехода: 130 °С
Максимальная температура окружающей среды: -60…+125 °С