Транзистор 2Т665Б9

659 ₽

Характеристики

Структура: n-p-n
Максимальный постоянный ток коллектора: 1 А
Максимальный импульсный ток коллектора: 1,5 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 В

Все характеристики

Описание

2Т665Б9 — биполярный транзистор структуры n-p-n. По HTML-таблице на карточке товара: максимальный постоянный ток коллектора — 1 А; максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 80 В; максимальное напряжение коллектор-база — 100 В.

Структура: n-p-n
Максимальный постоянный ток коллектора: 1 А
Максимальный импульсный ток коллектора: 1,5 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
Максимальное напряжение коллектор-база: 100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
Максимальная мощность коллектора: 0,3 (1) Вт
Коэффициент передачи тока: 40…250
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: <0,3 В
Обратный ток коллектора (эмиттер разомкнут): <10 мкА
Обратный ток эмиттера (коллектор разомкнут): <10 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер: - мкА
Граничная частота передачи тока: >200 МГц
Емкость коллекторного перехода: <25 пФ
Емкость коллекторного перехода: <150 пФ
Максимальная температура перехода: 150 °С
Максимальная температура окружающей среды: -60…+100 °С