Транзистор МП16Б

Характеристики

Структура: p-n-p
Макс. постоянный ток коллектора: 100 мА
Макс. импульсный ток коллектора: 300 мА
Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 15 В

Все характеристики

Описание

Маломощный биполярный транзистор структуры p-n-p, ориентированный на импульсные и ключевые схемы. Постоянный ток коллектора — до 100 мА, импульсный — до 300 мА, предельное напряжение коллектор-эмиттер — 15 В, мощность рассеяния 200 мВт. Коэффициент передачи тока 45…100, низкое напряжение насыщения 0,15 В, обратный ток коллектора до 25 мкА, граничная частота 1 МГц.

Структура: p-n-p
Макс. постоянный ток коллектора: 100 мА
Макс. импульсный ток коллектора: 300 мА
Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 15 В
Макс. мощность рассеяния на коллекторе: 200 мВт
Коэффициент передачи тока (малый сигнал, ОЭ): 45…100
Напряжение коллектор-эмиттер (при измерении): 1 В
Ток коллектора (при измерении): 10 мА
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0,15 В
Обратный ток коллектора: 25 мкА
Граничная частота передачи тока: 1 МГц