Транзистор П216Б

Характеристики

Структура: p-n-p
Макс. постоянный ток коллектора: 7,5 А
Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
Макс. напряжение коллектор-база: 30 В

Все характеристики

Описание

Мощный низкочастотный биполярный транзистор структуры p-n-p. Постоянный ток коллектора — до 7,5 А, предельное напряжение коллектор-эмиттер и коллектор-база — 30 В, эмиттер-база — 15 В. Мощность рассеяния с теплоотводом 24 Вт, коэффициент передачи тока более 10, напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,5 В. Обратный ток коллектора до 1,5 мА, граничная частота 0,1 МГц, температура перехода 85 °C.

Структура: p-n-p
Макс. постоянный ток коллектора: 7,5 А
Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
Макс. напряжение коллектор-база: 30 В
Макс. напряжение эмиттер-база: 15 В
Макс. мощность на коллекторе с теплоотводом: 24 Вт
Статический коэффициент передачи тока: >10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0,5 В
Обратный ток коллектора: 1,5 мА
Обратный ток эмиттера: 0,75 мА
Граничная частота передачи тока: 0,1 МГц
Макс. температура перехода: 85 °C
Макс. температура окружающей среды: -60…+70 °C