Транзистор П416Б

Характеристики

Структура: p-n-p
Макс. постоянный ток коллектора: 25 мА
Макс. импульсный ток коллектора: 120 мА
Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 12 В

Все характеристики

Описание

Высокочастотный маломощный биполярный транзистор структуры p-n-p с наибольшим в серии усилением: коэффициент передачи тока 90…200, граничная частота 80 МГц. Допустимый постоянный ток коллектора — 25 мА, импульсный — 120 мА, напряжение коллектор-эмиттер до 12 В, коллектор-база до 15 В. Мощность рассеяния 100 мВт, емкость коллекторного перехода 8 пФ, диапазон температур от -60 до +70 °C.

Структура: p-n-p
Макс. постоянный ток коллектора: 25 мА
Макс. импульсный ток коллектора: 120 мА
Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 12 В
Макс. напряжение коллектор-база: 15 В
Макс. напряжение эмиттер-база: 3 В
Макс. мощность рассеяния на коллекторе: 100 мВт
Статический коэффициент передачи тока: 90…200
Напряжение коллектор-база (при измерении): 5 В
Ток эмиттера (при измерении): 5 мА
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,7 В
Обратный ток коллектора: 5 мкА
Граничная частота передачи тока: 80 МГц
Емкость коллекторного перехода: 8 пФ
Макс. температура окружающей среды: -60…+70 °C