Транзисторы 2П7160И2

По запросу

Характеристики

Тип транзистора: мощный радиационно-стойкий кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом
Назначение: вторичные источники электропитания, импульсные модуляторы как силовые транзисторные ключи и другое электрооборудование специального назначения
Исполнение корпуса: металлокерамический корпус с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами
Особенность основания: позволяет исключить электроизоляционные прокладки при установке на теплоотвод (радиатор)

Все характеристики

Описание

2П7160И2 — мощный радиационно-стойкий кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом. На странице указано применение во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и другом электрооборудовании специального назначения. Прибор выполнен в металлокерамическом корпусе с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами; беспотенциальное основание позволяет устанавливать его на теплоотвод без электроизоляционных прокладок.

Тип транзистора: мощный радиационно-стойкий кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом
Назначение: вторичные источники электропитания, импульсные модуляторы как силовые транзисторные ключи и другое электрооборудование специального назначения
Исполнение корпуса: металлокерамический корпус с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами
Особенность основания: позволяет исключить электроизоляционные прокладки при установке на теплоотвод (радиатор)
Тип корпуса: КТ-111С-1.02
Масса: не более 4,1 г
Категория качества: «ВП»
Приёмка «5»: АЕЯР.432140.374ТУ/Д1