Транзисторы 2П7160К1

По запросу

Характеристики

Тип транзистора: мощный радиационно-стойкий кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом
Назначение: вторичные источники электропитания, импульсные модуляторы как силовые транзисторные ключи и другое электрооборудование специального назначения
Исполнение корпуса: металлостеклянный корпус с неизолированным фланцем и планарными выводами
Покрытие корпуса: на основе никеля

Все характеристики

Описание

2П7160К1 — мощный радиационно-стойкий кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом. Он предназначен для вторичных источников электропитания, импульсных модуляторов и другого электрооборудования специального назначения. Транзистор выпускается в металлостеклянном корпусе с неизолированным фланцем и планарными выводами; для исполнения с цифрой «1» в окончании обозначения на странице указано покрытие на основе никеля.

Тип транзистора: мощный радиационно-стойкий кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом
Назначение: вторичные источники электропитания, импульсные модуляторы как силовые транзисторные ключи и другое электрооборудование специального назначения
Исполнение корпуса: металлостеклянный корпус с неизолированным фланцем и планарными выводами
Покрытие корпуса: на основе никеля
Тип корпуса: КТ-97С
Масса: не более 10 г
Категория качества: «ВП»
Приёмка «5»: АЕЯР.432140.374ТУ